• ROHM開發(fā)出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設備電源等應用的理想之選。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms

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  06/03 14:18

  MOSFET ROHM

  
• ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作

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  05/27 09:47

  GaN ROHM

  
• ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應用

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結構，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結構設計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

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  05/15 16:22

  MOSFET ROHM

  

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