師資
于洪宇博士，南方科技大學(xué)長(zhǎng)聘教授、深港微電子學(xué)院創(chuàng)院院長(zhǎng)，國(guó)家青年特聘專(zhuān)家，IET Fellow，廣東省科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才。主要研究工作集中在集成電路工藝與器件方面，包括CMOS、新型超高密度存儲(chǔ)器、GaN器件與系統(tǒng)集成及電子陶瓷方面，發(fā)表學(xué)術(shù)論文近450篇，其中近250篇被SCI收錄，總他引次數(shù)近6100次，H影響因子為46，編輯2本書(shū)籍并撰寫(xiě)了4本專(zhuān)業(yè)書(shū)籍的章節(jié)，發(fā)表/授權(quán)近28項(xiàng)美國(guó)/歐洲專(zhuān)利以及80項(xiàng)以上國(guó)內(nèi)專(zhuān)利。
聯(lián)系方式：[email protected]
教育經(jīng)歷
2001 年 1 月-2004 年 5 月，獲得新加坡國(guó)立大學(xué)電機(jī)與計(jì)算機(jī)工程系博士學(xué)位
1999 年 7 月-2000 年 12 月，獲得加拿大多倫多大學(xué)材料系碩士學(xué)位
1994 年 9 月-1999 年 7 月，獲得清華大學(xué)材料系學(xué)士學(xué)位
工作經(jīng)歷
2019/6-至今，南方科技大學(xué)，深港微電子學(xué)院創(chuàng)院院長(zhǎng)
2011/10-至今，南方科技大學(xué)，教授
2008/01-2011/10，新加坡南洋理工大學(xué)，電子與電工工程學(xué)院微電子系，長(zhǎng)聘助理教授，納米器件實(shí)驗(yàn)室副主任；
2004/05月-2008/01，比利時(shí)魯汶IMEC（全球著名微納電子研發(fā)中心），資深研究員及項(xiàng)目負(fù)責(zé)人
部分榮譽(yù)
2022 年，中國(guó)發(fā)明創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)創(chuàng)新獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)
2021 年，廣東省課程思政改革示范項(xiàng)目（工程學(xué)導(dǎo)論）
2016年，南方科技大學(xué)杰出科研獎(jiǎng)
2012年，英國(guó)工程技術(shù)學(xué)會(huì)，會(huì)士
2008年，“南洋”助理教授獎(jiǎng)
2007年，Tech Sym. VLSI會(huì)議亮點(diǎn)文章
2004年，IEEE 電子器件協(xié)會(huì)博士生獎(jiǎng)學(xué)金
研究領(lǐng)域
GaN功率器件與系統(tǒng)集成
CMOS器件與工藝
新型超高密度存儲(chǔ)器
電子陶瓷
部分文章
(1)Yang Jiang, Wenmao Li, Fangzhou Du, Robert Sokolovskij, Yi Zhang, Shuhui Shi, Weiguo Huang, Qing Wang,* Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. "Comprehensive review of gallium nitride (GaN)-based gas sensors and their dynamic responses", Journal of Materials Chemistry C, 2023;
(2)ChenKai Deng, Wei-Chih Cheng, XiGuang Chen, KangYao Wen, MingHao He, ChuYing Tang, PeiRan Wang, Qing Wang*, and Hongyu Yu*. "Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs using dual-layer SiNx stressor passivation". Applied Physics Letters, 2023, 122: 232107;
(3)JiaQi He, KangYao Wen, PeiRan Wang, MingHao He, Fangzhou Du, Yang Jiang, ChuYing Tang, Nick Tao, Qing Wang*, Gang Li*, and HongYu Yu*. "Interface charge engineering on an in-situ SiNx/AlGaN/GaN platform for normally-off GaN MIS-HEMTs with improved breakdown performance". Applied Physics Letters, 2023, 123: 103502;
(4)ChuYing Tang, Chun Fu, Yang Jiang, ChenKai Deng, KangYao Wen, JiaQi He, PeiRan Wang, Fangzhou Du, Yi Zhang, Qing Wang*, and HongYu Yu*. "Carrier transport mechanism of Mg/Pt/Au ohmic contact on p-GaN/AlGaN/GaN platform with ultra-low resistivity". Applied Physics Letters, 2023, 123: 092104;
(5)JiaQi He, Qing Wang, Guangnan Zhou, Wenmao Li, Yang Jiang, Zepeng Qiao, Chuying Tang, Gang Li, and HongYu Yu*. "Normally-OFF AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Low RON and Vth Hysteresis by Functioning In-Situ SiNx in Regrowth Process". IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(4): 529–532;
(6)ChuYing Tang, HongHao Lu, ZePeng Qiao, Yang Jiang, FangZhou Du, JiaQi He, YuLong Jiang, Qing Wang, and HongYu Yu*, "Ohmic Contact with a Contact Resistivity of 12 Ω·mm on p-GaN/AlGaN/GaN". IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(9): 1412–1415;
(7)Yang Jiang, FangZhou Du, JiaQi He, ZePeng Qiao, ChuYing Tang, XinYi Tang, ZhongRui Wang, Qing Wang*, HongYu Yu*. "Microscopic formation mechanism of Si/Tl5Al1/TiN ohmic contact on non-recessed i-InAlN/GaN heterostructures with ultra-low resistance". Applied Physics Letters, 2022, 121: 212105;
(8)Guangnan Zhou, Fanming Zeng, Rongyu Gao, Qing Wang, Kai Cheng, Lingqi Li, Peng Xiang, Fangzhou Du, Guangrui Xia*, and Hongyu Yu*, "p-GaN Gate HEMTs With 10.6 V Maximum Gate Drive Voltages by Mg Doping Engineering". IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(5): 2282–2286;
(9)MengYa Fan, Yang Jiang, GaiYing Yang, YuLong Jiang, HongYu Yu*. "Very-Low Resistance Contact to 2D Electron Gas by Annealing Induced Penetration Without Spikes Using TaAl/Au on Non-Recessed i-AlGaN/GaN". IEEE Electron Device Letters, 2020, 41(10):1484-1487;
(10)MengYa Fan, GaiYing Yang, GuangNan Zhou, Yang Jiang, WenMao Li, YuLong Jiang, HongYu Yu*, "Ultra-Low Contact Resistivity of < 0.1 Omega mm for Au-Free TixAly Alloy Contact on Non-Recessed i-AlGaN/GaN". IEEE Electron Device Letters, 2020, 41(1): 143-146.