當下，數(shù)字化正在重塑我們的世界，各類創(chuàng)新技術的快速推進導致了數(shù)據(jù)量的暴增。在邊緣計算、人工智能等先進技術乃至當下火熱的元宇宙話題背后，都需要滿足一個共同的基礎，那就是對海量數(shù)據(jù)的計算和處理能力。因此，存儲需要具備更大的容量、更穩(wěn)定的性能，以滿足不同應用的高要求。

話不多說，一起來看看最新的存儲市場走向和行業(yè)資訊！

三星電子推出業(yè)界首款512GB CXL內(nèi)存，助力人工智能(AI)和大數(shù)據(jù)應用。新開發(fā)的CXL內(nèi)存的內(nèi)存容量是以前版本的4倍，使服務器能夠擴展到10TB等級，而系統(tǒng)延遲則降至五分之一。

SK海力士在中國東北遼寧省大連市新建晶圓廠，收購英特爾在該地區(qū)的資產(chǎn)后，進一步擴大了在華業(yè)務。 5月16日， SK 海力士中國總裁在新晶圓廠開工儀式的媒體報道中表示，新晶圓廠將提升大連工廠自身的產(chǎn)業(yè)競爭力，還有助于保障中國市場供應鏈穩(wěn)定。

5月12日，美光周四宣布推出業(yè)界首款具有 232 層的 3D NAND 存儲器，原始容量為1TB (128GB)。5月25日，美光宣布計劃明年在中國臺灣開始批量生產(chǎn)其1β納米DRAM制程，并計劃今年晚些時候在其臺中工廠安裝極紫外(EUV)光刻工具。該首席執(zhí)行官表示，該公司正在為其1γ 納米 DRAM制程的批量生產(chǎn)做前期準備。      

西部數(shù)據(jù)宣布與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的162層NAND Flash，為第六代BiCS NAND Flash (BiCS6)。西部數(shù)據(jù)與鎧俠的 162 層 NAND 閃存將達到競爭對手 176 層的容量。西部數(shù)據(jù)與鎧俠還公布了未來的研發(fā)計劃，2024年BiCS+的層數(shù)超過200層，如果一切按計劃進行，2032年應該會有500層的閃存問世。     

2021 – 2022年全球SSD出貨量

■ 全球SSD出貨量: 實際出貨量在2Q22年第一季度略有下降，但預計將在3Q22恢復。

2021-2022年閃存供需和價格走勢

■ 滿足率：第二季度出現(xiàn)短缺將結束，預計于7月恢復平衡。

■ 價格走勢：SSD價格預計持平。

2021-2022年全球內(nèi)存產(chǎn)量

■ 全球內(nèi)存產(chǎn)量：全球產(chǎn)量持續(xù)增長。

2021-2022年DDR4內(nèi)存供需和價格走勢

■ 內(nèi)存滿足率：全球需求趨緩，預計到2022年底都將略微供過于求。

■ 價格走勢：合約價預計保持穩(wěn)定。

供給與價格趨勢分析