1. 存儲結(jié)構(gòu)：
   • NOR Flash：采用并行結(jié)構(gòu)，適合需要快速隨機(jī)訪問的應(yīng)用，如程序代碼存儲。
   • NAND Flash：采用串行結(jié)構(gòu)，適合大容量數(shù)據(jù)存儲和較慢的隨機(jī)訪問。
2. 讀取速度：
   • NOR Flash：具有較快的隨機(jī)訪問速度，適合需要快速讀取數(shù)據(jù)的場景。
   • NAND Flash：讀取速度相對較慢，但在順序讀取時性能更高。
3. 寫入速度：
   • NOR Flash：寫入速度通常比NAND Flash慢，適合需要頻繁寫入數(shù)據(jù)的應(yīng)用。
   • NAND Flash：擁有較快的寫入速度，適合大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲和寫入操作。
4. 壽命：
   • NOR Flash：由于讀寫速度較慢，壽命相對較長，適合要求高可靠性和持久性的應(yīng)用。
   • NAND Flash：由于較快的寫入速度，壽命可能會受到影響，但采取一些技術(shù)措施可以延長其壽命。
5. 擦除單位：
   • NOR Flash：支持按字節(jié)擦除，靈活性更高，但效率較低。
   • NAND Flash：通常以塊為單位進(jìn)行擦除，擦除效率更高，但不如NOR Flash靈活。
6. 價格：
   • NOR Flash：相對較貴，適合小容量存儲和高性能需求。
   • NAND Flash：成本相對較低，適合大容量數(shù)據(jù)存儲需求。
7. 適用領(lǐng)域：
   • NOR Flash：常用于嵌入式系統(tǒng)中的代碼存儲、啟動加載等需要快速隨機(jī)訪問的應(yīng)用。
   • NAND Flash：常用于移動設(shè)備、相機(jī)、USB閃存驅(qū)動器等需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用。

NOR Flash 和 NAND Flash 在存儲結(jié)構(gòu)、讀寫速度、壽命、擦除單位、價格和適用領(lǐng)域等方面存在明顯差異，制造商和設(shè)計者在選擇存儲器時應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用需求來決定使用哪種類型的Flash存儲器，以最大程度地發(fā)揮其優(yōu)勢并滿足產(chǎn)品性能和成本需求。