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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊(cè)

2023/04/25
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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊(cè)

RF功率LDMOS晶體管 N通道增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET 此63瓦對(duì)稱(chēng)多爾蒂射頻功率LDMOS晶體管設(shè)計(jì)用于覆蓋1805至1880 MHz頻段的蜂窩基站應(yīng)用。

  • 典型的多爾蒂單載波W-CDMA性能：VDD = 28伏特，IDQA = 1000毫安培，VGSB = 1.2伏直流，Pout = 63瓦平均值，輸入信號(hào)PAR = 9.9分貝@ 0.01%概率的CCDF。

特點(diǎn)：

  • 在對(duì)稱(chēng)多爾蒂配置下進(jìn)行生產(chǎn)測(cè)試
  • 更大的負(fù)門(mén)源電壓范圍，以改善C類(lèi)操作
  • 設(shè)計(jì)用于數(shù)字預(yù)畸變誤差校正系統(tǒng)
  • 帶卷和卷筒。R6后綴= 150個(gè)單位，56毫米帶寬，13英寸卷筒

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器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
BT131-600,412 1 NXP Semiconductors BT131-600
$0.19 查看
CRCW06030000Z0EC 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 0ohm, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.1 查看
SXH-001T-P0.6N 1 JST Manufacturing Connector Accessory, 0.0512in Min Cable Dia, 0.0748in Max Cable Dia, Contact, Phosphor Bronze,

ECAD模型

下載ECAD模型
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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