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使用RF線性混合放大器時的機械和熱考慮因素

2023/04/25
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使用RF線性混合放大器時的機械和熱考慮因素

熱因素
工程師在使用我們的混合放大器時經(jīng)常會遇到一個問題:a熱阻抗是多少?o熱阻抗(表示為θJC)對于使用離散固態(tài)器件的射頻設計工程師來說是一個非常真實和重要的參數(shù)。

然而,這個術語在多級混合放大器中失去了意義。每個級可以在不同的靜態(tài)條件下偏置,從而在給定的一組環(huán)境條件下產(chǎn)生不同的結溫度。此外,混合電路設計工程師可能會提到θJC,指的是使用其特定組裝工藝安裝在混合電路上的單個晶體管管芯的熱阻抗。然而,這個術語對使用其產(chǎn)品的客戶沒有任何意義,因為他們只能計算總放大器的功耗。

為了避免這種混淆,摩托羅拉射頻設備公司只對其射頻線性混合放大器的最高工作溫度進行了評級。這些放大器的設計使得在最壞的工作條件下,任何晶體管管芯的最高結溫都將低于150°C。該結溫與我們兩年的累積可靠性數(shù)據(jù)相關,該數(shù)據(jù)預測MTB超過142年。

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
P409CE104M250LH101 1 KEMET Corporation RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT
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VS-50RIA120S90 1 Vishay Intertechnologies Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN

ECAD模型

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284506-2 1 TE Connectivity 11A, MODULAR TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK
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恩智浦

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結。收起

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