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MMRF1306HR5, MMRF1306HSR5 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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MMRF1306HR5, MMRF1306HSR5 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

These high ruggedness devices, MMRF1306HR5 and MMRF1306HSR5, are designed for use in high VSWR CW or pulse applications, such as HF, VHF, and low-band UHF radar and high power radio communications.

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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