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ARCHIVED - MRF8S19140HR3, MRF8S19140HSR3 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25
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ARCHIVED - MRF8S19140HR3, MRF8S19140HSR3 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for CDMA, W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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