• ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應(yīng)用

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過在一個(gè)器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

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  05/15 16:22

  MOSFET ROHM

  

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