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扇出型晶圓級封裝

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  • 激光退火后 晶圓 TTV 變化管控
    摘要:本文針對激光退火后晶圓總厚度偏差(TTV)變化的問題,深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設備改進、晶圓預處理以及檢測反饋機制等方面,提出一系列有效管控 TTV 變化的方法,為提升激光退火后晶圓質量提供技術參考。 關鍵詞:激光退火;晶圓;TTV 變化;管控方法 一、引言 激光退火作為半導體制造中的關鍵工藝,在改善晶圓電學性能方面發(fā)揮著重要作用。然而,激光退火過程中產生的高熱量及不均勻的能量分布,易導致晶
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    隨著消費性電子產品對可攜式及多功能要求的日益嚴格,整合更多功能、提升產品效能、終薄型化以及降低制造商整體成本逐漸成為終端產品及行業(yè)廠商智能化的發(fā)展方向。然而,隨著摩爾定律極限的逼近,半導體封裝產業(yè)已經面臨無法在微縮芯片的尺寸來提升電子產品效能的窘境。

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