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氮化鎵晶體管

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法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向為100)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。

法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向為100)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。收起

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