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GaN

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氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。收起

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  • 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新
    當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?GaN 可實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，這樣可減小無(wú)源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類(lèi)的技術(shù)相比，GaN 還可降低開(kāi)關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計(jì)效率。 您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE
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  • 納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
    納芯微發(fā)布專(zhuān)為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡(jiǎn)化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 近年來(lái)，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢(shì)，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中
    納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
  • 意法半導(dǎo)體推出針對(duì)消費(fèi)類(lèi)和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器
    意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開(kāi)發(fā)者帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產(chǎn)品為電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制設(shè)計(jì)人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用的能效、功率密度和魯棒性。 STDRIVEG610主打那些要求啟動(dòng)時(shí)間300ns級(jí)別的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，啟動(dòng)時(shí)間是LLC或ACF電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涞?/div>
  • ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC開(kāi)始量產(chǎn)
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開(kāi)關(guān)工作
    ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC開(kāi)始量產(chǎn)
  • 大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案
    致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E芯片的140W電源適配器方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案的展示板圖 隨著游戲本、高性能創(chuàng)作本等高配電腦設(shè)備市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，電源適配器的需求也在不斷升級(jí)。一方面，消費(fèi)者希望充電器能夠快速為設(shè)備補(bǔ)充電量，減少等待時(shí)間
    大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案