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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。收起

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    核心觀點 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動，2025年5月整體存儲器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強烈，預(yù)計維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫存消耗，存儲庫存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲價格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲器件最
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    DRAM現(xiàn)貨市場情況:DDR4現(xiàn)貨市場持續(xù)呈現(xiàn)強勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。
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    核心觀點 2025年4月份存儲市場整體存儲器件需求穩(wěn)步增長，部分器件在四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲； 整體庫存水位持續(xù)下降，NAND和傳統(tǒng)DRAM交貨時間不斷延長； 受關(guān)稅影響，原材料成本上揚傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，推動現(xiàn)貨市場部分存儲價格走強。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 4月，四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數(shù)環(huán)比上升7.38%，同比下降-29.71%。 小型語言模型的興起，
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    由于去年NAND產(chǎn)品價格低迷，為預(yù)防供過于求的問題，美光、三星、SK海力士、鎧俠等公司自2024年第四季度起陸續(xù)實施了減產(chǎn)措施。盡管減產(chǎn)的幅度不及之前，但這些措施緩解了市場供需失衡的狀況。此前，分析機構(gòu)預(yù)測2025年上半年NAND價格將持續(xù)下跌，直至下半年才可能有所改善。
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