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SiC MOSFET

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設計資料

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  • 柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用
    碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。
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    05/27 11:30
    柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用
  • 碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相
    在碳化硅（SiC）技術(shù)的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應對這些挑戰(zhàn)。
  • 東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。 四款新器件是首批采用小型表貼DFN
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  • 意法半導體車規(guī)柵極驅(qū)動器提升電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴展性和性能
    意法半導體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設置的安全保護和豐富的診斷功能，確保電驅(qū)系統(tǒng)通過ISO 26262 ASIL D認證。STGAP4S驅(qū)動器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標準認證，適用于設計可擴展的電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)。 STGAP4S的設計靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高
    意法半導體車規(guī)柵極驅(qū)動器提升電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴展性和性能
  • 致瞻科技：SiC MOS是800V汽車空調(diào)的首選
    致瞻科技創(chuàng)始人史經(jīng)奎和浙江大學團隊發(fā)表了題為《SiC MOSFET：800V電動汽車空調(diào)壓縮機的必然趨勢》的論文。該團隊旗幟鮮明地指出，與硅基IGBT相比，SiC MOSFET是800V電動汽車電動壓縮機的首選。
    致瞻科技：SiC MOS是800V汽車空調(diào)的首選