知識星球（星球名：芯片制造與封測技術社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：聽說EUV的掩膜版是反射式的，但是我們常見的掩膜版都是透射式的，為什么會這樣？EUV掩膜版結(jié)構(gòu)麻煩介紹下。

為什么EUV的掩膜版是反射式的？

EUV光的波長為13.5納米，這種極短的波長在通過任何材料時都會被強烈吸收，導致沒有適合的透明材料能有效傳輸EUV光，這使得傳統(tǒng)的透射式掩膜在EUV光刻中不可行。

EUV掩模版的結(jié)構(gòu)

如上圖，EUV掩膜版采用多層膜結(jié)構(gòu)，利用布拉格反射原理反射EUV光。可以實現(xiàn)高達70%左右的反射率，提高了光刻精度和效率。Anti-reflective coating (ARC)（抗反射涂層）:減少掩模版表面反射，增加光吸收效率。

Absorber（吸收層）:光刻圖案的實際形成層，吸收未被反射的EUV光。一般吸收層材料為Ta，TaN,TaBN等。Ru capping（釕覆蓋層）:保護多層膜結(jié)構(gòu)，防止氧化和損壞。

Mo/Si multilayer mirror（鉬/硅多層反射鏡）:在 LTEM 基板頂部沉積了 40 到 50 層交替的硅和鉬層，作為布拉格反射層，可最大程度地反射 13.5nm 波長的EUV。

Low thermal expansion material (LTEM)（低熱膨脹材料）:掩?；宀牧希瑹岱€(wěn)定性高，在溫度劇烈變化時尺寸變化極小。

Conductive backside coating（導電背面涂層）:通常由氮化鉻組成，減少靜電積聚，便于靜電夾持。

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