知識星球（星球名：芯片制造與封測技術社區(qū)，點擊加入）里的學員問：為什么都說TSV填孔工藝難？難在哪里？TSV電鍍填孔基本情況？

1，高深寬比：TSV深可達50–150 μm，孔徑卻只有5–10 μm，深寬比>10:1。

2，孔內壁復雜：內壁存在臺階，由于采用博世工藝，會產生扇貝形狀。

TSV電鍍的難點？孔內不能完全填實，有空洞TSV出現(xiàn)空洞的主要原因？

1，電流密度集中在孔口 → 孔口銅生長快 → 孔口金屬接觸，封口，形成空洞

2，孔內電鍍液交互困難，舊的電鍍液無法及時排出，新的電鍍液又無法到達沉積界面，導致深孔內電鍍質量電鍍速率都比較差一些電鍍液添加劑的沉積原理？

抑制劑（Suppressor）：抑制表面銅沉積，孔口的銅沉積，孔壁的銅沉積

加速劑（Accelerator）：加速底部銅向上生長沉積

整平劑（Leveler）：使晶圓沉積的銅厚度一致，降低粗糙度

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