48V電源布局

一般由上圖所示構(gòu)成。主要的零件有電源接口、保險(xiǎn)管、MOS、光藕、電容、電源磚、以及緩啟電路

器件布局要求

01、保險(xiǎn)管必須緊鄰48V電源輸入接口放置，確保輸入保護(hù)的有效性

02、相同功能的電路模塊集中布置，形成清晰的功能分區(qū)。不同類型電路避免交叉布局，減少相互干擾。

03、采用模塊化布局思路，便于后期維護(hù)和問題定位。

04、48V功率區(qū)域與其他電路區(qū)域保持最小70mil的物理隔離，建議使用ANTI ETCH ALL工具預(yù)先繪制70mil隔離帶，便于設(shè)計(jì)檢查，隔離帶內(nèi)不得有其他信號線或器件。

05、電源磚（DC-DC模塊）與周邊電容器保持2mm以上間距。

06、為電源磚預(yù)留足夠的散熱空間和氣流通道。

電氣安全間距標(biāo)準(zhǔn)

孔到孔/孔到線間距

保險(xiǎn)管前級（高壓側(cè)）：

表面層：≥2.1mm ?內(nèi)層：≥1.75mm

保險(xiǎn)管后級（低壓側(cè)）：

表面層：≥2.1mm ?內(nèi)層：≥0.75mm

線到線間距

保險(xiǎn)管前級（高壓側(cè)）：

表面層：≥2.0mm 內(nèi)層：≥1.4mm

保險(xiǎn)管后級（低壓側(cè)）：

表面層：≥2.0mm 內(nèi)層：≥0.4mm

布線工藝要求

01、保險(xiǎn)管前端的48V輸入線路與其他信號禁止在相鄰層平行走線，避免PCB層間絕緣破壞導(dǎo)致短路起火風(fēng)險(xiǎn)。

02、功率MOS管必須打通孔（via）增強(qiáng)散熱，在PCB底層（BOTTOM）對應(yīng)MOS管位置做亮銅處理，提升導(dǎo)熱效果。

03、保險(xiǎn)管在絲印層標(biāo)注規(guī)格，格式：電壓值/電流值

示例：125V/12A（125V表示耐壓，12A表示額定電流）。

04、電源磚的引腳采用花焊盤（thermal pad）連接方式。

05、48V區(qū)域的參考平面僅允許使用RTN（Return），嚴(yán)禁GND、DGND等其他地平面進(jìn)入48V區(qū)域，嚴(yán)禁其他電源平面進(jìn)入該區(qū)域，確保48V系統(tǒng)的電氣隔離和EMI性能。

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