国产成人高清亚洲,日韩无码一区二区,国产精品亚洲综合专区片高清久久久,欧美日韩国产区在线观看,sese在线,亞洲綜合久久精品無碼色欲,日韩亚洲av三级片

寬帶隙半導(dǎo)體

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

室溫下,Si的帶隙為1.1eV,GaAs的帶隙為1.43eV,一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導(dǎo)體材料歸類于寬帶隙半導(dǎo)體,寬帶隙半導(dǎo)體在藍(lán)、紫光和紫外光電子器件,高頻、高溫、高功率電子器件及場(chǎng)發(fā)射器件方面應(yīng)用廣泛。

室溫下,Si的帶隙為1.1eV,GaAs的帶隙為1.43eV,一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導(dǎo)體材料歸類于寬帶隙半導(dǎo)體,寬帶隙半導(dǎo)體在藍(lán)、紫光和紫外光電子器件,高頻、高溫、高功率電子器件及場(chǎng)發(fā)射器件方面應(yīng)用廣泛。收起

查看更多
暫無(wú)相關(guān)內(nèi)容,為您推薦以下內(nèi)容
  • 正在努力加載...