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閃存

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快閃存儲器(英語:flash memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲,以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進行一次抹除,就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。

快閃存儲器(英語:flash memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲,以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進行一次抹除,就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。收起

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    近期,芯片燒錄領域的領導者昂科技術推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際,公司同步宣布新增多款兼容芯片型號,其中包括恒爍半導體開發(fā)的ZB25VQ80BXLP非易失性閃存。該芯片已成功完成與昂科旗艦產(chǎn)品AP8000通用編程器工具的技術適配,此舉顯著增強了AP8000系列設備的芯片兼容性和行業(yè)應用范圍。 ZB25VQ80BXLP非易失性閃存設備支持標準串行外設接口(SPI),兼容傳統(tǒng)SPI單比
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    隨著電子設備的廣泛應用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質,其使用壽命受到廣泛關注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。
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    1004
    03/17 14:25
    閃存價格暴漲3倍?市場火熱靠的不是AI
  • 閃迪攜創(chuàng)新閃存解決方案亮相CFMS,以多樣化產(chǎn)品組合賦能企業(yè)構建數(shù)字世界的"記憶宮殿"
    當前,人工智能技術正在深刻重構多個行業(yè)的效率和生產(chǎn)模式,也正在顛覆傳統(tǒng)存儲技術的基本邏輯。需要實時生成文本、圖像、視頻的AI模型,其訓練和推理過程對存儲系統(tǒng)提出了前所未有的要求:100Gbps級帶寬、毫秒級延遲響應、EB級存儲容量?,這就需要更高性能、更大容量和更加穩(wěn)定可靠的存儲產(chǎn)品,閃存存儲由此也得到了飛速的發(fā)展。 在3月12日舉辦的CFMS | MemoryS 2025上,閃迪攜多樣化閃存解決
    920
    03/14 07:18
  • 《元器件動態(tài)周報》——AI需求打開高性能存儲空間
    核心觀點 2025年3月份存儲市場已經(jīng)從供過于求轉向部分企穩(wěn)回升,整體存儲器件需求上升,部分器件在四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲; 交付周期和庫存均呈現(xiàn)下降趨勢,市場逐步回暖; AI設備的需求帶動大容量存儲價格小幅上漲。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 3月,四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數(shù)環(huán)比上升19.44%,同比下降31.94%,至88.97。 供需局面逐漸改善,AI設備的
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    03/11 08:38
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    西班牙巴塞羅那2025年3月5日?/美通社/ -- MWC25巴塞羅那期間,在以"先進數(shù)據(jù)存力,釋放AI時代數(shù)據(jù)價值"為主題的數(shù)據(jù)存儲論壇上,華為發(fā)布新一代全閃數(shù)據(jù)中心系列產(chǎn)品和行業(yè)場景化方案,幫助客戶構建先進數(shù)據(jù)存力,加速行業(yè)智能化,釋放AI時代數(shù)據(jù)價值。 華為發(fā)布新一代全閃數(shù)據(jù)中心系列產(chǎn)品和行業(yè)場景化方案 隨著AI、大數(shù)據(jù)、高性能計算等應用不斷激活數(shù)字活力,全新的數(shù)智時代已來臨。在先進大模型的
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  • 采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實時性能
    實時微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎設施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設計要求方面發(fā)揮著至關重要的作用。無論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS),這些設備都必須在惡劣環(huán)境中為時間關鍵型任務提供快速、確定性的性能。 F29H85x 系列 C2000TM MCU 基于 TI 的 C29 內(nèi)核,專為應對高壓系統(tǒng)中嚴苛的處理和安全設計挑戰(zhàn)而設計。這 些 MCU 性能顯著提升
    采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實時性能
  • 2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調整,預計下半年價格將面臨壓力
    存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM(內(nèi)存)庫存,到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而,消費電子需求未如預期回溫,如智能手機領域已出現(xiàn)整機庫存過高的情況,筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買,市場繼續(xù)萎縮。這種情況下,以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱,第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤,但也暗示合約價的潛在趨勢。
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  • AI算力升級,存儲將扮演什么角色?
    近期AI計算平臺已經(jīng)迎來新一輪升級。從NVIDIA發(fā)布Rubin GPU,到Intel發(fā)布至強6,再到AMD的銳龍和EPYC處理器,無一不在強調AI加速的重要性。特別是在PC領域,Windows on ARM產(chǎn)品蓄勢待發(fā),基于x86的AI PC更是鎖定先進制程,將AI TOPS和應用范圍都拓寬到更廣大產(chǎn)品線中。 AI時代的到來,勢必所有的AI PC、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算、終端應用所搭載的存儲器容量都
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  • 全閃存
    全閃存(All-Flash)是一種高性能數(shù)據(jù)存儲解決方案,基于閃存固態(tài)硬盤(SSD),旨在提供快速、可靠和低延遲的數(shù)據(jù)訪問體驗。相比傳統(tǒng)的磁盤存儲系統(tǒng),全閃存極大地提升了企業(yè)應用和數(shù)據(jù)中心的性能,并逐漸成為各行業(yè)廣泛采用的首選存儲技術。
  • 一文快速了解NAND Flash的原理、結構、工藝挑戰(zhàn)、應用及未來發(fā)展
    NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術,主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。

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