• 三極管放大電流原理：電子世界的能量控制器

  在智能音箱的音頻功放電路中，一枚貼片三極管將微弱的DAC輸出信號放大百倍，驅動揚聲器發(fā)出清晰音效。這一過程揭示了三極管作為"電流放大器"的核心價值——通過精密控制載流子運動，實現(xiàn)電能的高效轉換與調(diào)控。 一、結構基礎與載流子調(diào)控 雙極型晶體管（BJT）由三個摻雜區(qū)構成發(fā)射結（BE）和集電結（BC）。當發(fā)射結正偏、集電結反偏時（放大區(qū)工作條件），發(fā)射區(qū)高濃度電子注入基區(qū)。以NPN型為例： 發(fā)射極注入：

  MDD辰達半導體

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  02/27 07:22

  放大器 三極管

  
• ??Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT?

  Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標準產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進一步鞏固了Nexperia作為市場領先供應商的地位。通過此次發(fā)布，Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT，可滿足設計人員對節(jié)省空間和能源的封裝的

  與非網(wǎng)編輯

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  2024/09/02

  Nexperia BJT

  
• 簡述半導體原理——晶體管家族的核心工作機制

  在電力電子行業(yè)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）無疑是廣為人知的明星器件。然而，當我們面對基于GaN（氮化鎵）材料的HEMT（高電子遷移率晶體管）技術時，可能會感到些許陌生。為了更全面地了解這一領域，讓我們對晶體管家族的譜系進行一次詳盡的梳理，如圖1所示，這樣我們能更清晰地把握它們之間的關系與差異。

  英飛凌

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  2024/07/22

  MOSFET IGBT

  
• 雙極性與單極性晶體管有什么區(qū)別

  在電子學領域，雙極性晶體管（BJT）和單極性晶體管（MOSFET）是兩種常見的半導體器件，用于放大、開關和控制電流。

  eefocus_3901714

  1.7萬

  2024/06/19

  MOSFET 晶體管

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