• 無刷電機的驅(qū)動MOSFET

  當無葉風扇送出柔風時，內(nèi)部13萬轉(zhuǎn)無刷電機正被MOSFET精準驅(qū)動；掃地機鉆進7cm縫隙，7組電機協(xié)同完成毫米級貼邊清掃；電動牙刷以31,000次/分鐘振動清潔齒縫，筋膜槍在50μs內(nèi)響應力度調(diào)節(jié)，而高空作業(yè)無人機正用高壓水刷洗摩天幕墻——這些看似平常的設備，背后都藏著無刷電機+電子驅(qū)動的精密控制系統(tǒng)。 一、電機驅(qū)動的技術(shù)內(nèi)核：從機械換向到電子革命 機械換向時代—有刷電機 傳統(tǒng)有刷電機依賴碳刷與換

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  06/06 17:13

  MOSFET 電機
• 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇

  作者：安森美 向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護的半導體開關(guān)。電子保險絲和 SmartFET 可為負載、傳感器和執(zhí)行器提供保護，從而提高功能安全性，更好地應對功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計算的方式，將分散在各個 ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強大的中央計算機處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。 系統(tǒng)描述 電動

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  06/05 08:50

  MOSFET 安森美

  
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

  在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已

  王兵

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  06/04 10:01

  SiC MOSFET

  
• ROHM開發(fā)出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設備電源等應用的理想之選。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms

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  06/03 14:18

  MOSFET ROHM

  
• Vishay 新款具有領(lǐng)先導通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性

  這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進導通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應用

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  05/30 17:30

  電阻 MOSFET

  
• 利用理想二極管，實現(xiàn)穩(wěn)健的電源

  作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個電源。使用多個不同電源為器件供電時，需要部署若干開關(guān)以將電源相互分隔開，以防損壞。對此，固然可在電源路徑中使用多個二極管來實現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的優(yōu)勢。文中將展示兩個版本的理想二極管：一個是無需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個版本則更加簡單，始終由更高的

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  05/22 17:33

  電路 二極管

  
• AMEYA360 ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的小型MOSFET 助力快速充電應用

  全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

  AMEYA360

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  05/20 16:23

  快充 MOSFET
• MDDG03R04Q,低內(nèi)阻大電流 服務器和新能源的好幫手

  在服務器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強型MOS）憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。 一、產(chǎn)品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ? MDDG03R04Q采用MDD的Trenc

  MDD辰達半導體

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  05/20 10:21

  半導體 MOSFET
• 元器件交易動態(tài)周報-本土汽車、消費電子的強勁表現(xiàn)帶動功率器件需求上升

  核心觀點： 2025年4月，中國汽車產(chǎn)銷增長強勁，推動功率器件需求提升，尤其車規(guī)級半導體國產(chǎn)化空間大。二季度消費電子旺季，且國補政策影響下，需求穩(wěn)定。交貨周期方面，主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢，行業(yè)供應偏緊。價格上，二極管價格微增，Mosfets價格下降，但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價穩(wěn)趨勢。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài)： 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動

  史德志

  2013

  05/19 10:00

  二極管 MOSFET

  
• 確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造

  作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān) 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設備的核心。 從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。 第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。 與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC

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  05/16 16:44

  碳化硅 MOSFET

  
• ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應用

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

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  05/15 16:22

  MOSFET ROHM

  
• MOSFET關(guān)斷過程中的開關(guān)損耗如何計算？800字手把手教你搞定這個電路知識點

  上一篇文章我們介紹了MOSFET導通過程中的開關(guān)損耗的計算方法，接下來就講一下MOSFET在關(guān)斷過程中的交叉損耗計算，主要是要估算關(guān)斷時的交叉時間，然后算出功耗。

  硬件那點事兒

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  04/26 10:25

  MOSFET 開關(guān)損耗

  
• 優(yōu)化效率：探索有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器的二次整流電路設計和占空比的作用

  作者：GuangQi Hou，應用工程師 摘要 有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器利用P通道MOS進行鉗位，是公認的高效率電源拓撲。該設計支持將儲存的電感能量反饋到電網(wǎng)，從而提高整體轉(zhuǎn)換器效率。為了進一步提高效率，該設計還集成了基于MOSFET的二次自整流電路。本文探討了二次整流電路面臨的設計難題，強調(diào)了優(yōu)化占空比的重要性。值得注意的是，有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中采用了廣泛的電源技術(shù)，本文僅介紹了其中一種。 簡介 對于

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  04/22 13:11

  ADI MOSFET

  
• MOSFET導通過程中的開關(guān)損耗如何計算？1200字手把手教你搞定這個電路知識點

  MOSFET導通過程中的開關(guān)損耗這部分內(nèi)容是關(guān)于MOSFET在開關(guān)過程中的交叉損耗Cross Loss計算，主要涉及導通時間的估算和功耗分析。公式是什么？如何計算呢？設計中又有哪些需要注意的地方？接下來就把它通俗易懂地講一下。以下分析基于MOSFET驅(qū)動感性負載哦，如果是驅(qū)動阻性負載，算法是不一樣的，大家注意！

  硬件那點事兒

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  04/21 10:25

  MOSFET 開關(guān)損耗

  
• Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能

  日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應用中650V MO

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  04/16 08:03

  MOSFET 邊緣計算

  
• 在EMC中 MOSFET 柵極驅(qū)動電路常見類型

  在電子設備的設計中，電磁兼容（EMC）是確保設備穩(wěn)定可靠運行的關(guān)鍵因素。功率 MOSFET 作為電子電路中的重要元件，其柵極驅(qū)動電路的設計與電磁兼容密切相關(guān)。由于 MOS 管的應用場景多樣，因此產(chǎn)生了多種類型的驅(qū)動電路，這些電路在電磁兼容性方面各有優(yōu)劣。下面我們就來詳細了解一下幾種常見的 MOSFET 柵極驅(qū)動電路。 1.IC 直接驅(qū)動型 電源控制 IC 直接驅(qū)動是最為常見且簡單的驅(qū)動方式。在電磁

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  04/15 16:28

  MOSFET 電磁兼容
• 高性能三通道雙向電源：實現(xiàn)更多測試與更高吞吐量

  隨著科技的飛速發(fā)展，測試工程師們常常面臨這樣的挑戰(zhàn)：生產(chǎn)需求超出了現(xiàn)有測試系統(tǒng)的能力，或者需要同時測試多個參數(shù)。在這種情況下，傳統(tǒng)的解決方案通常是構(gòu)建更多的測試系統(tǒng)并配備更多的測試設備，尤其是在需要多臺直流電源的大功率應用中。然而，這種方法不僅成本高昂，還增加了系統(tǒng)的復雜性和維護難度。 典型應用場景包括： 測試帶有多個逆變器和電池備份的太陽能電池組，確保其在復雜工況下的性能和可靠性； 同時為電動汽

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  04/15 08:05

  SiC MOSFET

  
• MOSFET驅(qū)動電路設計時，為什么可以“慢”開，但是要“快”關(guān)呢？

  MOSFET作為開關(guān)器件，在驅(qū)動電路中主要用于控制電流的通斷，比如在DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動或者功率放大電路中。它的開關(guān)過程（開和關(guān)）會直接影響電路的效率、發(fā)熱和可靠性?！奥_快關(guān)”的這個設計原則，背后有什么電路設計原理呢？咱們從MOSFET的工作原理和實際應用場景來分析分析一下。MOSFET的開關(guān)過程中開和關(guān)的本質(zhì)是什么呢？

  硬件那點事兒

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  04/10 08:30

  MOSFET 電路設計

  
• 英飛凌與科士達深入合作，全棧方案樹立UPS高效可靠新標桿

  在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場需求持續(xù)攀升，對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達科技股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動器等全套功率半導體解決方案，助力

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  04/10 08:29

  英飛凌 MOSFET

  
• SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

  作者：安森美產(chǎn)品線經(jīng)理 Wonhwa Lee 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？ 答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。 國際能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設

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  04/10 08:24

  數(shù)據(jù)中心 MOSFET

  

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